Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
IXTA08N100P
MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263
Hissə nömrəsi
IXTA08N100P
İstehsalçı/Brend
Serial
Polar™
Hissə Vəziyyəti
Active
Qablaşdırma
Tube
Texnologiya
MOSFET (Metal Oxide)
İşləmə temperaturu
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü
Surface Mount
Paket / Çanta
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Təchizatçı Cihaz Paketi
TO-263 (IXTA)
Gücün Dağılması (Maks.)
42W (Tc)
FET növü
N-Channel
FET Xüsusiyyəti
-
Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)
1000V
Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C
800mA (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
20 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks) @ İd
4V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs
11.3nC @ 10V
Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds
240pF @ 25V
Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)
10V
Vgs (Maks.)
±20V
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 44163 PCS
Əlaqə məlumatı
Əlaqədar Məhsullar
Açar sözlərIXTA08N100P
IXTA08N100P Elektron komponentlər
IXTA08N100P Satış
IXTA08N100P Təchizatçı
IXTA08N100P Distribyutor
IXTA08N100P Məlumat cədvəli
IXTA08N100P Şəkillər
IXTA08N100P Qiymət
IXTA08N100P Təklif
IXTA08N100P Ən aşağı qiymət
IXTA08N100P Axtar
IXTA08N100P Satınalma
IXTA08N100P Çip