Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
IXTA1N120P
MOSFET N-CH 1200V 1A TO-263
Hissə nömrəsi
IXTA1N120P
İstehsalçı/Brend
Serial
PolarVHV™
Hissə Vəziyyəti
Active
Qablaşdırma
Tube
Texnologiya
MOSFET (Metal Oxide)
İşləmə temperaturu
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü
Surface Mount
Paket / Çanta
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Təchizatçı Cihaz Paketi
TO-263 (IXTA)
Gücün Dağılması (Maks.)
63W (Tc)
FET növü
N-Channel
FET Xüsusiyyəti
-
Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)
1200V
Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
20 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks) @ İd
4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs
17.6nC @ 10V
Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds
550pF @ 25V
Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)
10V
Vgs (Maks.)
±20V
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 13555 PCS
Əlaqə məlumatı
Əlaqədar Məhsullar
Açar sözlərIXTA1N120P
IXTA1N120P Elektron komponentlər
IXTA1N120P Satış
IXTA1N120P Təchizatçı
IXTA1N120P Distribyutor
IXTA1N120P Məlumat cədvəli
IXTA1N120P Şəkillər
IXTA1N120P Qiymət
IXTA1N120P Təklif
IXTA1N120P Ən aşağı qiymət
IXTA1N120P Axtar
IXTA1N120P Satınalma
IXTA1N120P Çip