IXYS IXTA1R6N100D2HV MOSFET N-CH

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IXTA1R6N100D2HV

MOSFET N-CH

Hissə nömrəsi

IXTA1R6N100D2HV

İstehsalçı/Brend

IXYS

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-263HV

Gücün Dağılması (Maks.)

100W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Depletion Mode

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

1000V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

1.6A (Tj)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

10 Ohm @ 800mA, 0V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

27nC @ 5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

645pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 8784 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

IXTA02N250

MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263