IXYS IXTA3N100P MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IXTA3N100P

MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263

Hissə nömrəsi

IXTA3N100P

İstehsalçı/Brend

IXYS

Serial

PolarVHV™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-263 (IXTA)

Gücün Dağılması (Maks.)

125W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

1000V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

3A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

4.8 Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

39nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1100pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 42703 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

IXTA02N250

MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263