Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
IXTA6N100D2

IXTA6N100D2

MOSFET N-CH 1000V 6A D2PAK
Hissə nömrəsi
IXTA6N100D2
İstehsalçı/Brend
Serial
-
Hissə Vəziyyəti
Active
Qablaşdırma
Tube
Texnologiya
MOSFET (Metal Oxide)
İşləmə temperaturu
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü
Surface Mount
Paket / Çanta
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Təchizatçı Cihaz Paketi
TO-263 (IXTA)
Gücün Dağılması (Maks.)
300W (Tc)
FET növü
N-Channel
FET Xüsusiyyəti
Depletion Mode
Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)
1000V
Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
2.2 Ohm @ 3A, 0V
Vgs(th) (Maks) @ İd
-
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs
95nC @ 5V
Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds
2650pF @ 25V
Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)
-
Vgs (Maks.)
±20V
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 30337 PCS
Əlaqə məlumatı
Açar sözlərIXTA6N100D2
IXTA6N100D2 Elektron komponentlər
IXTA6N100D2 Satış
IXTA6N100D2 Təchizatçı
IXTA6N100D2 Distribyutor
IXTA6N100D2 Məlumat cədvəli
IXTA6N100D2 Şəkillər
IXTA6N100D2 Qiymət
IXTA6N100D2 Təklif
IXTA6N100D2 Ən aşağı qiymət
IXTA6N100D2 Axtar
IXTA6N100D2 Satınalma
IXTA6N100D2 Çip