Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
IXTH60N10

IXTH60N10

MOSFET N-CH 100V 60A TO-247
Hissə nömrəsi
IXTH60N10
İstehsalçı/Brend
Serial
-
Hissə Vəziyyəti
Active
Qablaşdırma
Tube
Texnologiya
MOSFET (Metal Oxide)
İşləmə temperaturu
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü
Through Hole
Paket / Çanta
TO-247-3
Təchizatçı Cihaz Paketi
TO-247 (IXTH)
Gücün Dağılması (Maks.)
300W (Tc)
FET növü
N-Channel
FET Xüsusiyyəti
-
Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)
100V
Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ İd
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs
110nC @ 10V
Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds
3200pF @ 25V
Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)
10V
Vgs (Maks.)
±20V
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 11258 PCS
Əlaqə məlumatı
Açar sözlərIXTH60N10
IXTH60N10 Elektron komponentlər
IXTH60N10 Satış
IXTH60N10 Təchizatçı
IXTH60N10 Distribyutor
IXTH60N10 Məlumat cədvəli
IXTH60N10 Şəkillər
IXTH60N10 Qiymət
IXTH60N10 Təklif
IXTH60N10 Ən aşağı qiymət
IXTH60N10 Axtar
IXTH60N10 Satınalma
IXTH60N10 Çip