Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
IXTM40N30

IXTM40N30

POWER MOSFET TO-3
Hissə nömrəsi
IXTM40N30
İstehsalçı/Brend
Serial
GigaMOS™
Hissə Vəziyyəti
Last Time Buy
Qablaşdırma
-
Texnologiya
MOSFET (Metal Oxide)
İşləmə temperaturu
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü
Through Hole
Paket / Çanta
TO-204AE
Təchizatçı Cihaz Paketi
TO-204AE
Gücün Dağılması (Maks.)
300W (Tc)
FET növü
N-Channel
FET Xüsusiyyəti
-
Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)
300V
Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
88 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ İd
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs
220nC @ 10V
Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds
4600pF @ 25V
Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)
10V
Vgs (Maks.)
±20V
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 44255 PCS
Əlaqə məlumatı
Açar sözlərIXTM40N30
IXTM40N30 Elektron komponentlər
IXTM40N30 Satış
IXTM40N30 Təchizatçı
IXTM40N30 Distribyutor
IXTM40N30 Məlumat cədvəli
IXTM40N30 Şəkillər
IXTM40N30 Qiymət
IXTM40N30 Təklif
IXTM40N30 Ən aşağı qiymət
IXTM40N30 Axtar
IXTM40N30 Satınalma
IXTM40N30 Çip