IXYS IXTN550N055T2 MOSFET N-CH 55V 550A SOT-227

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IXTN550N055T2

MOSFET N-CH 55V 550A SOT-227

Hissə nömrəsi

IXTN550N055T2

İstehsalçı/Brend

IXYS

Serial

GigaMOS™, TrenchT2™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Chassis Mount

Paket / Çanta

SOT-227-4, miniBLOC

Təchizatçı Cihaz Paketi

SOT-227B

Gücün Dağılması (Maks.)

940W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

55V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

550A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

1.3 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

595nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

40000pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 25311 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

IXTN102N65X2

MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227