IXYS IXTP2R4N120P MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-220

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IXTP2R4N120P

MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-220

Hissə nömrəsi

IXTP2R4N120P

İstehsalçı/Brend

IXYS

Serial

Polar™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-220-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-220AB

Gücün Dağılması (Maks.)

125W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

1200V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

2.4A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

7.5 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

37nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1207pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 7752 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

IXTP01N100D

MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB