IXYS IXTT68P20T MOSFET P-CH 200V 68A TO-268

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IXTT68P20T

MOSFET P-CH 200V 68A TO-268

Hissə nömrəsi

IXTT68P20T

İstehsalçı/Brend

IXYS

Serial

TrenchP™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-268

Gücün Dağılması (Maks.)

568W (Tc)

FET növü

P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

200V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

68A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

55 mOhm @ 34A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

380nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

33400pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±15V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 45426 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

IXTT02N450HV

MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO268