IXYS IXTX200N10L2 MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IXTX200N10L2

MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247

Hissə nömrəsi

IXTX200N10L2

İstehsalçı/Brend

IXYS

Serial

Linear L2™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-247-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

PLUS247™-3

Gücün Dağılması (Maks.)

1040W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

100V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

200A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

11 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4.5V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

540nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

23000pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 50654 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

IXTX102N65X2

MOSFET N-CH 650V 102A X2 PLUS247