Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
IXTY08N100D2
MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK
Hissə nömrəsi
IXTY08N100D2
İstehsalçı/Brend
Serial
-
Hissə Vəziyyəti
Active
Qablaşdırma
Tube
Texnologiya
MOSFET (Metal Oxide)
İşləmə temperaturu
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü
Surface Mount
Paket / Çanta
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Təchizatçı Cihaz Paketi
TO-252, (D-Pak)
Gücün Dağılması (Maks.)
60W (Tc)
FET növü
N-Channel
FET Xüsusiyyəti
Depletion Mode
Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)
1000V
Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C
800mA (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
21 Ohm @ 400mA, 0V
Vgs(th) (Maks) @ İd
-
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs
14.6nC @ 5V
Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds
325pF @ 25V
Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)
-
Vgs (Maks.)
±20V
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 38325 PCS
Əlaqə məlumatı
Əlaqədar Məhsullar
Açar sözlərIXTY08N100D2
IXTY08N100D2 Elektron komponentlər
IXTY08N100D2 Satış
IXTY08N100D2 Təchizatçı
IXTY08N100D2 Distribyutor
IXTY08N100D2 Məlumat cədvəli
IXTY08N100D2 Şəkillər
IXTY08N100D2 Qiymət
IXTY08N100D2 Təklif
IXTY08N100D2 Ən aşağı qiymət
IXTY08N100D2 Axtar
IXTY08N100D2 Satınalma
IXTY08N100D2 Çip