IXYS-RF IXFH12N50F MOSFET N-CH 500V 12A TO247

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IXFH12N50F

MOSFET N-CH 500V 12A TO247

Hissə nömrəsi

IXFH12N50F

İstehsalçı/Brend

IXYS-RF

Serial

HiPerRF™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-247-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-247 (IXFH)

Gücün Dağılması (Maks.)

180W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

500V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

12A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

400 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

5.5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

54nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1870pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 18562 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

IXFH100N25P

MOSFET N-CH 250V 100A TO-247