IXYS-RF IXFX24N100F MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247-3

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IXFX24N100F

MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247-3

Hissə nömrəsi

IXFX24N100F

İstehsalçı/Brend

IXYS-RF

Serial

HiPerRF™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-247-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

PLUS247™-3

Gücün Dağılması (Maks.)

560W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

1000V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

24A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

390 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

5.5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

195nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

6600pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 8345 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

IXFX100N25

MOSFET N-CH 250V 100A PLUS247