Microsemi Corporation 1N5552US DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

1N5552US

DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

Hissə nömrəsi

1N5552US

İstehsalçı/Brend

Microsemi Corporation

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Bulk

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

SQ-MELF, B

Təchizatçı Cihaz Paketi

D-5B

Diod növü

Standard

Cari - Orta Düzəliş (Io)

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər

1.2V @ 9A

Cari - Əks Sızma @ Vr

1µA @ 600V

Gərginlik - DC Əks (Vr) (Maks.)

600V

Sürət

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Əks Bərpa Müddəti (trr)

2µs

İşləmə temperaturu - Qovşaq

-65°C ~ 175°C

Kapasitans @ Vr, F

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 44744 PCS

Əlaqə məlumatı