Microsemi Corporation 1N5806US DIODE GEN PURP 150V 1A D5A

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

1N5806US

DIODE GEN PURP 150V 1A D5A

Hissə nömrəsi

1N5806US

İstehsalçı/Brend

Microsemi Corporation

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Bulk

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

SQ-MELF, A

Təchizatçı Cihaz Paketi

D-5A

Diod növü

Standard

Cari - Orta Düzəliş (Io)

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər

875mV @ 1A

Cari - Əks Sızma @ Vr

1µA @ 150V

Gərginlik - DC Əks (Vr) (Maks.)

150V

Sürət

Fast Recovery = 200mA (Io)

Əks Bərpa Müddəti (trr)

25ns

İşləmə temperaturu - Qovşaq

-65°C ~ 175°C

Kapasitans @ Vr, F

25pF @ 10V, 1MHz

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 21297 PCS

Əlaqə məlumatı