Microsemi Corporation 1N6080US DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

1N6080US

DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF

Hissə nömrəsi

1N6080US

İstehsalçı/Brend

Microsemi Corporation

Serial

Hissə Vəziyyəti

Discontinued at Digi-Key

Qablaşdırma

Bulk

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

SQ-MELF, G

Təchizatçı Cihaz Paketi

G-MELF (D-5C)

Diod növü

Standard

Cari - Orta Düzəliş (Io)

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər

1.5V @ 37.7A

Cari - Əks Sızma @ Vr

10µA @ 100V

Gərginlik - DC Əks (Vr) (Maks.)

100V

Sürət

Fast Recovery = 200mA (Io)

Əks Bərpa Müddəti (trr)

30ns

İşləmə temperaturu - Qovşaq

-65°C ~ 155°C

Kapasitans @ Vr, F

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 41097 PCS

Əlaqə məlumatı