Microsemi Corporation 2N6770T1 MOSFET N-CH 500V 12A TO-254AA

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

2N6770T1

MOSFET N-CH 500V 12A TO-254AA

Hissə nömrəsi

2N6770T1

İstehsalçı/Brend

Microsemi Corporation

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Bulk

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-254AA

Gücün Dağılması (Maks.)

4W (Ta), 150W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

500V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

12A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

500 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

120nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 10559 PCS

Əlaqə məlumatı