Microsemi Corporation APT10M11B2VFRG MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

APT10M11B2VFRG

MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Hissə nömrəsi

APT10M11B2VFRG

İstehsalçı/Brend

Microsemi Corporation

Serial

POWER MOS V®

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-247-3 Variant

Təchizatçı Cihaz Paketi

T-MAX™

Gücün Dağılması (Maks.)

520W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

100V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

100A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

11 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

450nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

10300pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 47859 PCS

Əlaqə məlumatı