Microsemi Corporation APT34F100B2 MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

APT34F100B2

MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX

Hissə nömrəsi

APT34F100B2

İstehsalçı/Brend

Microsemi Corporation

Serial

POWER MOS 8™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-247-3 Variant

Təchizatçı Cihaz Paketi

T-MAX™ [B2]

Gücün Dağılması (Maks.)

1135W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

1000V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

35A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

380 mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

305nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

9835pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 36380 PCS

Əlaqə məlumatı