Microsemi Corporation APTC90H12T1G MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

APTC90H12T1G

MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1

Hissə nömrəsi

APTC90H12T1G

İstehsalçı/Brend

Microsemi Corporation

Serial

CoolMOS™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tray

İşləmə temperaturu

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Chassis Mount

Paket / Çanta

SP1

Güc - Maks

250W

Təchizatçı Cihaz Paketi

SP1

FET növü

4 N-Channel (H-Bridge)

FET Xüsusiyyəti

Super Junction

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

900V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

30A

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

120 mOhm @ 26A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3.5V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

270nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

6800pF @ 100V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 27423 PCS

Əlaqə məlumatı