Microsemi Corporation APTM100A46FT1G MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

APTM100A46FT1G

MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1

Hissə nömrəsi

APTM100A46FT1G

İstehsalçı/Brend

Microsemi Corporation

Serial

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Bulk

İşləmə temperaturu

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Chassis Mount

Paket / Çanta

SP1

Güc - Maks

357W

Təchizatçı Cihaz Paketi

SP1

FET növü

2 N-Channel (Half Bridge)

FET Xüsusiyyəti

Standard

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

1000V (1kV)

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

19A

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

552 mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

260nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

6800pF @ 25V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 10915 PCS

Əlaqə məlumatı