Microsemi Corporation APTM100DA18T1G MOSFET N-CH 1000V 40A SP1

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

APTM100DA18T1G

MOSFET N-CH 1000V 40A SP1

Hissə nömrəsi

APTM100DA18T1G

İstehsalçı/Brend

Microsemi Corporation

Serial

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Bulk

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Chassis Mount

Paket / Çanta

SP1

Təchizatçı Cihaz Paketi

SP1

Gücün Dağılması (Maks.)

657W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

1000V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

40A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

216 mOhm @ 33A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

570nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

14800pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 42597 PCS

Əlaqə məlumatı