Microsemi Corporation APTM100U13SG MOSFET N-CH 1000V 65A J3

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

APTM100U13SG

MOSFET N-CH 1000V 65A J3

Hissə nömrəsi

APTM100U13SG

İstehsalçı/Brend

Microsemi Corporation

Serial

Hissə Vəziyyəti

Discontinued at Digi-Key

Qablaşdırma

Bulk

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Chassis Mount

Paket / Çanta

J3 Module

Təchizatçı Cihaz Paketi

Module

Gücün Dağılması (Maks.)

1250W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

1000V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

65A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

145 mOhm @ 32.5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

2000nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

31600pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 50299 PCS

Əlaqə məlumatı