Microsemi Corporation APTML20UM18R010T1AG MOSFET N-CH 200V 109A SP1

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

APTML20UM18R010T1AG

MOSFET N-CH 200V 109A SP1

Hissə nömrəsi

APTML20UM18R010T1AG

İstehsalçı/Brend

Microsemi Corporation

Serial

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Bulk

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Chassis Mount

Paket / Çanta

SP1

Təchizatçı Cihaz Paketi

SP1

Gücün Dağılması (Maks.)

480W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

200V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

109A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

19 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

9880pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 23815 PCS

Əlaqə məlumatı