Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
JAN1N5417US
DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
Hissə nömrəsi
JAN1N5417US
İstehsalçı/Brend
Serial
Military, MIL-PRF-19500/411
Hissə Vəziyyəti
Active
Qablaşdırma
Bulk
Montaj növü
Surface Mount
Paket / Çanta
SQ-MELF, B
Təchizatçı Cihaz Paketi
B, SQ-MELF
Diod növü
Standard
Cari - Orta Düzəliş (Io)
3A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər
1.5V @ 9A
Cari - Əks Sızma @ Vr
1µA @ 200V
Gərginlik - DC Əks (Vr) (Maks.)
200V
Sürət
Fast Recovery = 200mA (Io)
Əks Bərpa Müddəti (trr)
150ns
İşləmə temperaturu - Qovşaq
-65°C ~ 175°C
Kapasitans @ Vr, F
-
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 15611 PCS
Əlaqə məlumatı
Əlaqədar Məhsullar
Açar sözlərJAN1N5417US
JAN1N5417US Elektron komponentlər
JAN1N5417US Satış
JAN1N5417US Təchizatçı
JAN1N5417US Distribyutor
JAN1N5417US Məlumat cədvəli
JAN1N5417US Şəkillər
JAN1N5417US Qiymət
JAN1N5417US Təklif
JAN1N5417US Ən aşağı qiymət
JAN1N5417US Axtar
JAN1N5417US Satınalma
JAN1N5417US Çip