Microsemi Corporation JAN1N5420US DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

JAN1N5420US

DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

Hissə nömrəsi

JAN1N5420US

İstehsalçı/Brend

Microsemi Corporation

Serial

Military, MIL-PRF-19500/411

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Bulk

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

SQ-MELF, B

Təchizatçı Cihaz Paketi

D-5B

Diod növü

Standard

Cari - Orta Düzəliş (Io)

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər

1.5V @ 9A

Cari - Əks Sızma @ Vr

1µA @ 600V

Gərginlik - DC Əks (Vr) (Maks.)

600V

Sürət

Fast Recovery = 200mA (Io)

Əks Bərpa Müddəti (trr)

400ns

İşləmə temperaturu - Qovşaq

-65°C ~ 175°C

Kapasitans @ Vr, F

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 29727 PCS

Əlaqə məlumatı