Microsemi Corporation JANTXV1N5809URS DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

JANTXV1N5809URS

DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Hissə nömrəsi

JANTXV1N5809URS

İstehsalçı/Brend

Microsemi Corporation

Serial

Military, MIL-PRF-19500/477

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Bulk

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

SQ-MELF, B

Təchizatçı Cihaz Paketi

B, SQ-MELF

Diod növü

Standard

Cari - Orta Düzəliş (Io)

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər

875mV @ 4A

Cari - Əks Sızma @ Vr

5µA @ 100V

Gərginlik - DC Əks (Vr) (Maks.)

100V

Sürət

Fast Recovery = 200mA (Io)

Əks Bərpa Müddəti (trr)

30ns

İşləmə temperaturu - Qovşaq

-65°C ~ 175°C

Kapasitans @ Vr, F

60pF @ 10V, 1MHz

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 11143 PCS

Əlaqə məlumatı