Nexperia USA Inc. BSP250,115 MOSFET P-CH 30V 3A SOT223

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

BSP250,115

MOSFET P-CH 30V 3A SOT223

Hissə nömrəsi

BSP250,115

İstehsalçı/Brend

Nexperia USA Inc.

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-261-4, TO-261AA

Təchizatçı Cihaz Paketi

SOT-223

Gücün Dağılması (Maks.)

1.65W (Ta)

FET növü

P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

3A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

250 mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.8V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

25nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

250pF @ 20V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 11416 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

BSP220,115

MOSFET P-CH 200V 0.225A SOT223