Nexperia USA Inc. PMPB55ENEAX MOSFET N-CH 60V 4A 6DFN2020MD

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

PMPB55ENEAX

MOSFET N-CH 60V 4A 6DFN2020MD

Hissə nömrəsi

PMPB55ENEAX

İstehsalçı/Brend

Nexperia USA Inc.

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

6-UDFN Exposed Pad

Təchizatçı Cihaz Paketi

6-DFN2020MD (2x2)

Gücün Dağılması (Maks.)

1.65W (Ta)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

60V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

4A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

56 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

12nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

435pF @ 30V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 26462 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

PMPB100ENEAX

PMPB100ENEA/SOT1220/SOT1220