Nexperia USA Inc. PMV130ENEA/DG/B2R MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

PMV130ENEA/DG/B2R

MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB

Hissə nömrəsi

PMV130ENEA/DG/B2R

İstehsalçı/Brend

Nexperia USA Inc.

Serial

Automotive, AEC-Q101

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-236AB

Gücün Dağılması (Maks.)

5W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

40V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

2.1A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

120 mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

3.6nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

170pF @ 20V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 43376 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

PMV1-3FB-3K

CONN SPADE TERM 18-22AWG M3 RED