Nexperia USA Inc. PMV45EN2VL MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

PMV45EN2VL

MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB

Hissə nömrəsi

PMV45EN2VL

İstehsalçı/Brend

Nexperia USA Inc.

Serial

TrenchMOS™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-236AB

Gücün Dağılması (Maks.)

510mW (Ta)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

5.1A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

42 mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

6.3nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

209pF @ 15V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 43774 PCS

Əlaqə məlumatı