Nexperia USA Inc. PSMN013-100ES,127 MOSFET N-CH 100V I2PAK

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

PSMN013-100ES,127

MOSFET N-CH 100V I2PAK

Hissə nömrəsi

PSMN013-100ES,127

İstehsalçı/Brend

Nexperia USA Inc.

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Təchizatçı Cihaz Paketi

I2PAK

Gücün Dağılması (Maks.)

170W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

100V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

68A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

13.9 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

59nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

3195pF @ 50V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 9960 PCS

Əlaqə məlumatı