NXP USA Inc. BS108/01,126 MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

BS108/01,126

MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54

Hissə nömrəsi

BS108/01,126

İstehsalçı/Brend

NXP USA Inc.

Serial

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tape & Box (TB)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-92-3

Gücün Dağılması (Maks.)

1W (Ta)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

200V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

300mA (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

5 Ohm @ 100mA, 2.8V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1.8V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

120pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

2.8V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 25536 PCS

Əlaqə məlumatı