NXP USA Inc. PHB119NQ06T,118 MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

PHB119NQ06T,118

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Hissə nömrəsi

PHB119NQ06T,118

İstehsalçı/Brend

NXP USA Inc.

Serial

TrenchMOS™

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Təchizatçı Cihaz Paketi

D2PAK

Gücün Dağılması (Maks.)

200W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

55V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

75A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

7.1 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

53nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

2820pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 22582 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

PHB101NQ04T,118

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK