NXP USA Inc. PMBFJ112,215 JFET N-CH 40V 0.3W SOT23

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

PMBFJ112,215

JFET N-CH 40V 0.3W SOT23

Hissə nömrəsi

PMBFJ112,215

İstehsalçı/Brend

NXP USA Inc.

Serial

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Güc - Maks

300mW

Təchizatçı Cihaz Paketi

SOT-23 (TO-236AB)

FET növü

N-Channel

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

40V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

6pF @ 10V (VGS)

Gərginlik - Dağılma (V(BR)GSS)

40V

Cari - Drenaj (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

Cari Drenaj (Id) - Maks

Gərginlik - Kəsmə (VGS off) @ Id

5V @ 1µA

Müqavimət - RDS(Aktiv)

50 Ohms

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 34007 PCS

Əlaqə məlumatı