NXP USA Inc. PMF280UN,115 MOSFET N-CH 20V 1.02A SOT323

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

PMF280UN,115

MOSFET N-CH 20V 1.02A SOT323

Hissə nömrəsi

PMF280UN,115

İstehsalçı/Brend

NXP USA Inc.

Serial

TrenchMOS™

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

SC-70, SOT-323

Təchizatçı Cihaz Paketi

SOT-323-3

Gücün Dağılması (Maks.)

560mW (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

1.02A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

340 mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

0.89nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

45pF @ 20V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

1.8V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±8V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 19273 PCS

Əlaqə məlumatı