NXP USA Inc. PMPB12UN,115 MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

PMPB12UN,115

MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

Hissə nömrəsi

PMPB12UN,115

İstehsalçı/Brend

NXP USA Inc.

Serial

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

6-UDFN Exposed Pad

Təchizatçı Cihaz Paketi

6-DFN2020MD (2x2)

Gücün Dağılması (Maks.)

1.7W (Ta), 12.5W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

7.9A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

18 mOhm @ 7.9A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

13nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

886pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

1.8V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±8V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 34396 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

PMPB100ENEAX

PMPB100ENEA/SOT1220/SOT1220