NXP USA Inc. PSMN035-100LS,115 MOSFET N-CH QFN3333

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

PSMN035-100LS,115

MOSFET N-CH QFN3333

Hissə nömrəsi

PSMN035-100LS,115

İstehsalçı/Brend

NXP USA Inc.

Serial

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-VDFN Exposed Pad

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-DFN3333 (3.3x3.3)

Gücün Dağılması (Maks.)

65W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

100V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

27A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

32 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

23nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1350pF @ 50V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 45830 PCS

Əlaqə məlumatı