NXP USA Inc. PSMN8R5-108ESQ MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

PSMN8R5-108ESQ

MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK

Hissə nömrəsi

PSMN8R5-108ESQ

İstehsalçı/Brend

NXP USA Inc.

Serial

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Təchizatçı Cihaz Paketi

I2PAK

Gücün Dağılması (Maks.)

263W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

108V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

100A (Tj)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

8.5 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

111nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

5512pF @ 50V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 48379 PCS

Əlaqə məlumatı