NXP USA Inc. SI2302DS,215 MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SI2302DS,215

MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23

Hissə nömrəsi

SI2302DS,215

İstehsalçı/Brend

NXP USA Inc.

Serial

TrenchMOS™

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-236AB (SOT23)

Gücün Dağılması (Maks.)

830mW (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

2.5A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

85 mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

650mV @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

230pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

2.5V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±8V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 35906 PCS

Əlaqə məlumatı