ON Semiconductor 2SK3666-3-TB-E JFET N-CH 10MA 200MW 3CP

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

2SK3666-3-TB-E

JFET N-CH 10MA 200MW 3CP

Hissə nömrəsi

2SK3666-3-TB-E

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Güc - Maks

200mW

Təchizatçı Cihaz Paketi

3-CP

FET növü

N-Channel

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

4pF @ 10V

Gərginlik - Dağılma (V(BR)GSS)

Cari - Drenaj (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.2mA @ 10V

Cari Drenaj (Id) - Maks

10mA

Gərginlik - Kəsmə (VGS off) @ Id

180mV @ 1µA

Müqavimət - RDS(Aktiv)

200 Ohms

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 15999 PCS

Əlaqə məlumatı