ON Semiconductor FCH165N60E MOSFET N-CH 600V 23A TO247

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

FCH165N60E

MOSFET N-CH 600V 23A TO247

Hissə nömrəsi

FCH165N60E

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

SuperFET® II

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-247-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-247

Gücün Dağılması (Maks.)

227W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

600V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

23A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

165 mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

75nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

2434pF @ 380V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 24466 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

FCH104N60

MOSFET N-CH 600V 37A TO247