ON Semiconductor FCPF190N65FL1 MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

FCPF190N65FL1

MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220

Hissə nömrəsi

FCPF190N65FL1

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

SuperFET® II

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-220-3 Full Pack

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-220F

Gücün Dağılması (Maks.)

39W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

650V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

20.6A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

190 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

78nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

3055pF @ 100V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 46643 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

FCPF067N65S3

MOSFET N-CH 650V 44A TO220F