ON Semiconductor FDC2612 MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

FDC2612

MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6

Hissə nömrəsi

FDC2612

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

PowerTrench®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Təchizatçı Cihaz Paketi

SuperSOT™-6

Gücün Dağılması (Maks.)

1.6W (Ta)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

200V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

1.1A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

725 mOhm @ 1.1A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

11nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

234pF @ 100V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 11990 PCS

Əlaqə məlumatı