FDD5N60NZTM
MOSFET N-CH 600V DPAK-3
Hissə nömrəsi
FDD5N60NZTM
İstehsalçı/Brend
Serial
UniFET-II™
Hissə Vəziyyəti
Active
Qablaşdırma
Cut Tape (CT)
Texnologiya
MOSFET (Metal Oxide)
İşləmə temperaturu
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü
Surface Mount
Paket / Çanta
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Təchizatçı Cihaz Paketi
D-Pak
Gücün Dağılması (Maks.)
83W (Tc)
FET növü
N-Channel
FET Xüsusiyyəti
-
Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)
600V
Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
2 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ İd
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs
13nC @ 10V
Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds
600pF @ 25V
Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)
10V
Vgs (Maks.)
±25V
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 21480 PCS
Əlaqə məlumatı
Əlaqədar Məhsullar
Açar sözlərFDD5N60NZTM
FDD5N60NZTM Elektron komponentlər
FDD5N60NZTM Satış
FDD5N60NZTM Təchizatçı
FDD5N60NZTM Distribyutor
FDD5N60NZTM Məlumat cədvəli
FDD5N60NZTM Şəkillər
FDD5N60NZTM Qiymət
FDD5N60NZTM Təklif
FDD5N60NZTM Ən aşağı qiymət
FDD5N60NZTM Axtar
FDD5N60NZTM Satınalma
FDD5N60NZTM Çip