ON Semiconductor FDMS3660S-F121 MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

FDMS3660S-F121

MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN

Hissə nömrəsi

FDMS3660S-F121

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

PowerTrench®

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerTDFN

Güc - Maks

Təchizatçı Cihaz Paketi

Power56

FET növü

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET Xüsusiyyəti

Logic Level Gate

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

13A, 30A

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

8 mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

29nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1765pF @ 15V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 54952 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

FDMS003N08C

FET ENGR DEV-NOT REL