ON Semiconductor FDMS86150ET100 MOSFET N-CH 100V 16A POWER56

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

FDMS86150ET100

MOSFET N-CH 100V 16A POWER56

Hissə nömrəsi

FDMS86150ET100

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

PowerTrench®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerTDFN

Təchizatçı Cihaz Paketi

Power56

Gücün Dağılması (Maks.)

3.3W (Ta), 187W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

100V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

16A (Ta), 128A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

4.85 mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

62nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

4065pF @ 50V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

6V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 42735 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

FDMS003N08C

FET ENGR DEV-NOT REL