ON Semiconductor FDN306P MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

FDN306P

MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3

Hissə nömrəsi

FDN306P

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

PowerTrench®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

SuperSOT-3

Gücün Dağılması (Maks.)

500mW (Ta)

FET növü

P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

12V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

2.6A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

40 mOhm @ 2.6A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1138pF @ 6V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

1.8V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±8V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 46712 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

FDN302P

MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3