ON Semiconductor FDN308P MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

FDN308P

MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3

Hissə nömrəsi

FDN308P

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

PowerTrench®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

SuperSOT-3

Gücün Dağılması (Maks.)

500mW (Ta)

FET növü

P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

1.5A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

125 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

5.4nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

341pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

2.5V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±12V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 10867 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

FDN302P

MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3